西安交通大学宽禁带半导体材料与器件研究中心是一个面向新一代宽禁带半导体材料及器件的研究中心。该中心致力于研发在热、声、光、电及力学等方面具有潜在性能优势和产业化前景的新型宽禁带半导体材料与器件，目前重点开展利用微波等离子体化学气相外延（MPCVD）、金属有机化学气相外延（MOCVD）等先进半导体材料生长工艺设备外延生长宽禁带半导体单晶薄膜、单晶衬底和量子结构，开展相关基础研究和应用研究；并研发相应的短波长发光器件、高温高频大功率电子器件、高效大功率电力电子器件、高性能传感器及成像器件；同时带动我校电子科学与技术学科的发展。该中心现承担科技部“863”重大项目、国家自然科学基金项目等。该实验室将通过整合西安交通大学相关学科资源、强化科研平台建设、引进国际一流人才，逐步发展成为具有国际水平的、在国内外有重要影响的、特色鲜明的研究基地，最终建成世界一流的学术研究机构。
1.研究中心实验室主任
王宏兴教授，国家“千人计划”特聘专家。
2.学术委员会主任
侯洵教授，中国科学院院士。
3.主要研究方向
（1）大面积、高质量宽禁带半导体衬底的研究；
（2）电子器件级高质量宽禁带半导体单晶薄膜及掺杂方法的研究；
（3）高温、高效、大功率微波器件及高效大功率电力电子器件的研究；
（4）基于宽禁带半导体的传感器和成像探测器的研究；
（5）新型化学气相外延（CVD）等关键设备的研制。
4.主要研究条件
（1）工艺设备：日本Seki Technotron Corp. 公司的AX6500、AX5200和AX5250 CVD系统3套，AIXTRON MOCVD一套，高精密金刚石研磨机一台，激光切割机一台，现有RS-LMBE一套、MOCVD一套、JPSA激光剥离机一套，反应磁控溅射系统各一套，电阻和电子束蒸发镀膜设备各一套，深紫外光刻机一台，ICP离子刻蚀一台，微控扩散炉一台，快速退火炉（RTP）一台、KNS球焊机、楔焊机各一台。
（2）测试设备：Philips高分辨率XRD（MRD）一台，AFM一台，高分辨率FEM-SEM一台，四探针测试系统一台，阴极发光CL一台、吉时利4200-SCS型半导体特性分析、安捷伦1505A型高压大功率半导体特性分析仪，高分辨表面平坦度测试仪一台，拉曼谱测试仪一台，变温PL谱一台、飞秒激光系统两套、Lake Shore 7707A变温霍耳测试系统等。
（3）并建有“宽禁带半导体材料与器件实验室”，该实验室从宽禁带半导体材料的外延生长、高低温光电特性测试、薄膜结构测试、深紫外曝光（光刻）、刻蚀（湿，干）、金属电极制作、杂质扩散和热处理等方面形成了一套完整的工艺、测试线，有700m2的净化间。
一.人才招聘条件与待遇
1.招聘全职教职人员5名
（1）研究方向
在以下几个方向共招聘5名：
大面积宽禁带半导体衬底的研究；
宽禁带半导体外延生长和掺杂方法的研究；
大功率微波器件，大功率电力电子器件的研究；
宽禁带半导体的传感器和成像探测器的研究；
新型化学气相外延（CVD）等关键设备的研制。
（2）应聘条件
应聘讲师年龄在32岁以下，应聘副教授年龄在35岁以下；
电子科学与技术、电气工程、材料科学或相关专业博士毕业；
在与上列相关的一个方向有两年以上的工作经历；
以第一作者在国际一流期刊发表2篇以上高水平学术论文；
有独立承担科研项目的能力；
优秀的中、英文表达能力，优秀的阅读和撰写英文学术论文；
具有团队合作精神和责任心。
（3）待遇
采用Tenure Track（预备终身教职）模式；
讲师年薪为12万元，副教授年薪为18万元；
年终根据业绩提供相应的年度奖励；
提供一定数额的安家费及科研启动费；
在子女入托、中小学入学方面享受校内职工同等待遇；
其他待遇按照学校有关规定执行。
二.应聘方式
所有应聘者应提供以下资料：
（1）中英文电子版简历、格式不限，应包含本人研究领域和应聘的研究方向、研究成果列表；
（2）个人信息，以及家庭状况的有关信息；
（3）主要研究成果。3项主要成果的电子版，含成果水平的简要介绍（中英文）；
（4）两份业内专家的推荐信（中/英文）；
（5）对研究方向的设想。
三.联系方法
单 位：西安交通大学
地 址：中国 陕西 西安 咸宁西路28号 西安交通大学电信学院
邮 编：710049
联系人：张明辉
电话：029-82668155
E-mail:zhangminghuicc@mail.xjtu.edu.cn
截至日期：2015-7-31